Инновационная flash-память 3D V-NAND от Samsung

Представители Samsung объявили о выпуске комплектующих нового поколения: для производства флеш-памяти 3D V-NAND впервые будет применяться объёмная 32-слойная структура хранения информации. Благодаря применённым инновациям удалось решить сразу несколько проблем в 10 нм производственном процессе. В технологии задействована вертикальная 3D компоновка кристаллов памяти, что позволяет в несколько раз увеличить объём хранимых данных на единицу площади. Возрастает и надёжность их хранения.

Начало разработок датируется 2006-м, когда специалисты Samsung разработали технологию схемотехники 3D ChargeTrap Flash. Уже тогда CTF-структура кристаллов демонстрировала более высокие показатели скорости работы и надёжности памяти. В новой разработке корейцев наблюдается полуторакратный прирост ёмкости по сравнению с предыдущим семейством.

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...

Рекомендуемые публикации:

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *