Инновационная flash-память 3D V-NAND от Samsung


Представители Samsung объявили о выпуске комплектующих нового поколения: для производства флеш-памяти 3D V-NAND впервые будет применяться объёмная 32-слойная структура хранения информации. Благодаря применённым инновациям удалось решить сразу несколько проблем в 10 нм производственном процессе. В технологии задействована вертикальная 3D компоновка кристаллов памяти, что позволяет в несколько раз увеличить объём хранимых данных на единицу площади. Возрастает и надёжность их хранения.

Начало разработок датируется 2006-м, когда специалисты Samsung разработали технологию схемотехники 3D ChargeTrap Flash. Уже тогда CTF-структура кристаллов демонстрировала более высокие показатели скорости работы и надёжности памяти. В новой разработке корейцев наблюдается полуторакратный прирост ёмкости по сравнению с предыдущим семейством.

Предыдущая/следующая

Поделиться в соц сетях:

Twitter Facebook Vk Googlepluse Linkedin

Подпишитесь на обновления этого блога по RSSRSS, RSSMAILEmail или TwitterTwitter!

Случайная подборка из рубрики:

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Обсуждаемые темы:

Авторизация
*
*
Регистрация
*
*
*
Генерация пароля