Инновационная flash-память 3D V-NAND от Samsung


Представители Samsung объявили о выпуске комплектующих нового поколения: для производства флеш-памяти 3D V-NAND впервые будет применяться объёмная 32-слойная структура хранения информации. Благодаря применённым инновациям удалось решить сразу несколько проблем в 10 нм производственном процессе. В технологии задействована вертикальная 3D компоновка кристаллов памяти, что позволяет в несколько раз увеличить объём хранимых данных на единицу площади. Возрастает и надёжность их хранения.

Начало разработок датируется 2006-м, когда специалисты Samsung разработали технологию схемотехники 3D ChargeTrap Flash. Уже тогда CTF-структура кристаллов демонстрировала более высокие показатели скорости работы и надёжности памяти. В новой разработке корейцев наблюдается полуторакратный прирост ёмкости по сравнению с предыдущим семейством.

0

Если Вам нравятся статьи, заметки и другой интересный материал представленный на сайте Белые окошки и у вас есть непреодолимое желание поддержать этот скромный проект тогда выберите один из двух видов стратегии поддержки на специальной странице - Страница с донатом

Поделиться в соц сетях:

Подпишитесь на обновления этого блога по RSS, Email или Twitter!

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Авторизация
*
*
Войти с помощью: 
Регистрация
*
*
*
Войти с помощью: 
Генерация пароля